最近ASML（阿斯麥）交付了第三代極紫外（EUV）光刻工具，新設備型號為Twinscan NXE:3800E，配備了0.33數(shù)值孔徑透鏡。相比于之前的Twinscan NXE:3600D，性能有了進一步的提高，可以支持未來幾年3nm及2nm芯片的制造。
在ASML看來，Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA EUV光刻技術在性能（每小時處理的晶圓數(shù)量）和精度方面的又一次飛躍。新的光刻設備可實現(xiàn)每小時處理195片晶圓的處理速度，相比Twinscan NXE:3600D的160片大概提升了22%，將來有可能提高至220片。此外，新工具還提供了小于1.1nm的晶圓對準精度。
即便用于4/5nm芯片的生產(chǎn)，Twinscan NXE:3800E也能提升效率，讓制造商可以提高芯片生產(chǎn)的經(jīng)濟性，實現(xiàn)更為高效且更具成本效益的芯片生產(chǎn)。更為重要的一點，是Twinscan NXE:3800E對于制造2nm芯片和后續(xù)需要雙重曝光的制造技術有更好的效果，精度的提升會讓3nm以下的制程節(jié)點受益。
Twinscan NXE:3800E光刻機的價格并不便宜，機器的復雜性和功能是以巨大的成本為代價，每臺大概在1.8億美元。不過比起新一代High-NA EUV光刻機的報價，顯然還是要低很多。此前有報道稱，業(yè)界首款采用High-NA EUV光刻技術的TWINSCAN EXE:5200光刻機報價達到了3.8億美元。
ASML還會繼續(xù)推進Low-NA EUV光刻設備的開發(fā)，接下來將帶來新款Twinscan NXE:4000F，計劃在2026年發(fā)布，這凸顯了ASML對EUV制造技術的承諾。
